http://www.sharifulalam.com 2025-06-03 15:08 來源:羅姆半導體
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,開發出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服務器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業設備電源等應用的理想之選。
RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET,預計該尺寸產品未來需求將不斷增長,可以輕松替代現有產品。另外,新產品同時實現了更寬SOA范圍*3(條件:VDS=48V、Pw=1ms/10ms)和更低導通電阻(RDS(on))*4,由此既可確保熱插拔(電源啟動)工作時的更高產品可靠性,又能優化電源效率,降低功耗并減少發熱量。
為了兼顧服務器的穩定運行和節能,熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍,以承受大電流負載。特別是AI服務器的熱插拔電路,與傳統服務器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A、1ms時也可達50A,實現業界超優性能,能夠應對以往MOSFET難以支持的高負載應用。
RY7P250BM是具有業界超寬SOA范圍的MOSFET,并且實現了更低導通電阻,從而大幅降低了通電時的功率損耗和發熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻絕大多數約為2.28mΩ,而RY7P250BM的導通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ(條件:VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃)。這種低導通電阻有助于提升服務器電源的效率、減輕冷卻負荷并降低電力成本。
與此同時,RY7P250BM還被全球知名云平臺企業認證為推薦器件,預計未來將在AI服務器領域得到更廣泛的應用。在注重可靠性與節能的服務器領域中,RY7P250BM更寬SOA范圍與更低導通電阻的平衡在云應用中得到了高度好評。
新產品已經暫以月產100萬個的規模投入量產(樣品價格800日元/個,不含稅)。前道工序的生產基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠),后道工序的生產基地為OSAT(泰國)。另外,新產品已經開始通過電商進行銷售,通過電商平臺均可購買。
未來,ROHM將繼續擴大適用于服務器和工業設備48V電源的產品陣容,通過提供效率高且可靠性高的解決方案,為建設可持續ICT基礎設施和節能貢獻力量。
<開發背景>
隨著AI技術的飛速發展,數據中心的負載急劇增加,服務器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務器日益普及,如何兼顧進一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求,一直是個難題。在此背景下,相較傳統12V電源系統具有更高轉換效率的48V電源系統正在加速擴大應用。另外,在服務器運行狀態下實現模塊更換的熱插拔電路中,需要兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻的MOSFET,以防止浪涌電流*5和過載時造成損壞。新產品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業界超寬SOA范圍和超低導通電阻,有助于降低數據中心的功率損耗、減輕冷卻負荷,從而提升服務器的可靠性并實現節能。
<產品主要特性>
<應用示例>
・AI(人工智能)服務器和數據中心的48V系統電源熱插拔電路
・工業設備48V系統電源(叉車、電動工具、機器人、風扇電機等)
・AGV(自動導引車)等電池驅動的工業設備
・UPS、應急電源系統(電池備份單元)
<電商銷售信息>
發售時間:2025年5月起
新產品在其他電商平臺也將逐步發售。
產品型號:RY7P250BM